引领全球氮化镓功率半导体行业变革 英诺赛科拟来港上市
香港, 2024年6月14日 – (亚太商讯) – 2024进程过半，一季度里港股新股申请个案数量显著增加，从新股认购情况来看，IPO市场同样回暖明显。截至6月12日，5月以来共计有9只新股上市，首日全线飘红。
日前，全球氮化镓功率半导体行业龙头英诺赛科启动IPO计划，于6月12日向港交所递交了主板上市申请。据A1招股书，英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，为全球功率半导体革命的领导者。
氮化镓功率半导体迈入繁荣期 行业领导者脱颖而出
根据弗若斯特沙利文的资料，氮化镓是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料，已成为功率半导体行业持续变革的核心。氮化镓功率半导体经历萌芽期、发展期、商业化期等多个发展阶段后，在电动汽车及数据中心、光伏发电站及电网等下游市场发展的驱动下，氮化镓功率半导体行业规模持续扩大。预计到2028年，其市场规模将达到人民币501亿元，占全球功率半导体市占率提升至10.1%，并占全球功率半导体分立器件市场的24.9%。
针对氮化镓半导体产品近年来在不同领域的广泛应用，英诺赛科作为行业先行者，致力于引领氮化镓功率半导体行业及生态系统的创新，依靠在核心技术和关键工艺方面的前瞻性战略及突破，一举奠定了全球领导者的地位。通过与消费电子、汽车、可再生能源等不同领域的知名客户紧密合作，公司率先拓展氮化镓产品的应用范围，推出创新产品，并带来独特的价值。
于2023年，英诺赛科实现收入约人民币5.93亿元，占市场份额的33.7%，按折算氮化镓分立器件出货量计，公司于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市占率为42.4%。截至2023年12月31日，公司的累计出货量超过5.0亿颗。
技术优势一马当先 商业化能力走向成熟
为提高产品的可靠性，有效管理成本，扩大产品组合和多元化应用领域，英诺赛科在研发方面投入了大量资源，推动其技术平台不断迭代与完善。
据悉，英诺赛科已在中国苏州建立全球研发中心，将其定位为第三代半导体材料及芯片的领先研发中心。截至2023年12月31日，公司的研发工作已累计获得213项专利，其中包括173项发明专利及40项实用新型专利，以及480项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。于2021 年至2023 年，公司的研发开支合计高达人民币15.92亿元。
英诺赛科苏州研发楼
基于8英寸硅基氮化镓技术平台，英诺赛科开发了一系列技术，包括氮化镓材料技术、8英寸硅基氮化镓产品设计技术，及8英寸硅基氮化镓生产工艺技术。在8英寸硅基氮化镓晶圆技术方面的进步，使公司遥遥领先于竞争对手。凭借强大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产技术，公司突破了每月10,000片晶圆的生产瓶颈，实现了产业规模的商业化，截至2023年12月31日，晶圆良率超过95%。
出色的量产能力结合先进的制造工艺，已转化为显著的先发优势，助力英诺赛科成为世界上首家在产业规模上商业化8英寸硅基氮化镓晶圆的公司。依托成熟的商业化能力，可充分彰显公司创新能力，并有效地将创新成果推向市场，持续巩固其在氮化镓半导体行业的领导地位，实现价值蝶变与惊艳成长。
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