英諾賽科今日在港招股 氮化鎵功率半導體新星升起
香港, 2024年12月18日 – (亞太商訊) – 12月9日，中央政治局會議指，要以科技創新引領新質生產力發展，建設現代化產業體系。以半導體為代表的硬科技兼具「經濟順周期」與「新質生產力」的雙重特徵，在國家政策大力扶持下，復蘇趨勢逐漸明朗，各細分板塊投資機遇顯現。
作為最新一代半導體材料，氮化鎵近年來已廣泛應用於各行各業，不僅將在功率半導體行業的持續變革中發揮關鍵作用，也有望誕生第一家港股上市公司。12月18日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（下稱「英諾賽科」或「公司」，2577.HK）啟動港股招股，擬全球發行45,364,000股H股，最高發行價每股33.66港元，並預期於12月30日登陸港交所主板。中金公司、招銀國際為聯席保薦人。
氮化鎵行業步入繁榮期 競爭護城河高築
經歷了發展初期、發展期、商業化期等多個階段後，隨着氮化鎵技術越趨成熟以及下游應用範圍更為廣泛，氮化鎵功率半導體行業於2023年迎來大爆發，市場規模達到人民幣18億元（根據弗若斯特沙利文），開啟指數級增長的高景氣周期。預計到2028年，全球氮化鎵功率半導體的市場規模將達人民幣501億元，佔全球功率半導體市場的份額將從2023年的0.5%提升至10.1%，佔全球功率半導體分立器件市場比例從2023年的1.4%提升至24.9%，前景極為廣闊。
成立於2017年的英諾賽科，正着力推動全球功率半導體行業的創新，其既是全球首家實現量產8英吋硅基氮化鎵晶圓的企業，也是全球唯一具備全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品量產能力的公司。根據弗若斯特沙利文的資料，按收入計，英諾賽科於2023年在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一。
截至2024年6月30日，英諾賽科擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產能達到每月12,500片晶圓。每晶圓的晶粒產出數增加80%，單一器件成本降低30%，證明公司在氮化鎵產品持續創新及商業化方面具成本優勢和領導地位。
尖端技術鞏固前沿地位 商業化提速推動收入高增
憑藉卓越的技術實力，英諾賽科核心技術攻關成功取得突破，並鞏固了其在氮化鎵半導體行業的前沿地位。2021年至2024年上半年，公司累計研發開支達人民幣17.37億元。截至2024年6月30日，公司在全球有319項專利，另有430項專利在途申請中，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。
從技術創新到建立市場領導地位的過程，則有賴於出色的商業化能力。通過將量產能力與先進的製造工藝相結合，進而轉化為顯着的先發優勢，英諾賽科成為世界上首家在產業規模上商業化8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司。截至2024年6月30日，以折算氮化鎵分立器件計，公司的累計出貨量超過8.50億顆。
迄今，英諾賽科的氮化鎵產品在各應用領域獲得客戶的認可，助力公司實現強勁的收入增長。於2021年、2022年、2023年，公司分別實現收入約人民幣6821.5萬元、1.36億元、5.93億元，複合年增長率為194.8%。於2024年上半年，錄得收入約人民幣3.86億元，同比增長25.2%，且達到2022年全年收入的2.82倍。
以氮化鎵產品為核心，通過創新和廣泛的行業合作，擴大氮化鎵產品的應用，建立一個強大而豐富的行業生態系統，將是英諾賽科的長期發展重點。伴隨商業化進程的有序推進，公司也將持續提升競爭力，在全球新一輪能源革命中奮發作為。
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