引領全球氮化鎵功率半導體行業變革 英諾賽科擬來港上市
香港, 2024年6月14日 – (亞太商訊) – 2024進程過半，一季度里港股新股申請個案數量顯著增加，從新股認購情況來看，IPO市場同樣回暖明顯。截至6月12日，5月以來共計有9隻新股上市，首日全線飄紅。
日前，全球氮化鎵功率半導體行業龍頭英諾賽科啟動IPO計劃，於6月12日向港交所遞交了主板上市申請。據A1招股書，英諾賽科是全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司，為全球功率半導體革命的領導者。
氮化鎵功率半導體邁入繁榮期 行業領導者脫穎而出
根據弗若斯特沙利文的資料，氮化鎵是一種具有高頻率和低導通電阻的寬帶隙半導體材料，已成為功率半導體行業持續變革的核心。氮化鎵功率半導體經歷萌芽期、發展期、商業化期等多個發展階段後，在電動汽車及數據中心、光伏發電站及電網等下游市場發展的驅動下，氮化鎵功率半導體行業規模持續擴大。預計到2028年，其市場規模將達到人民幣501億元，佔全球功率半導體市佔率提升至10.1%，並佔全球功率半導體分立器件市場的24.9%。
針對氮化鎵半導體產品近年來在不同領域的廣泛應用，英諾賽科作為行業先行者，致力於引領氮化鎵功率半導體行業及生態系統的創新，依靠在核心技術和關鍵工藝方面的前瞻性戰略及突破，一舉奠定了全球領導者的地位。通過與消費電子、汽車、可再生能源等不同領域的知名客戶緊密合作，公司率先拓展氮化鎵產品的應用範圍，推出創新產品，並帶來獨特的價值。
於2023年，英諾賽科實現收入約人民幣5.93億元，佔市場份額的33.7%，按折算氮化鎵分立器件出貨量計，公司於2023年在全球氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市佔率為42.4%。截至2023年12月31日，公司的累計出貨量超過5.0億顆。
技術優勢一馬當先 商業化能力走向成熟
為提高產品的可靠性，有效管理成本，擴大產品組合和多元化應用領域，英諾賽科在研發方面投入了大量資源，推動其技術平台不斷迭代與完善。
據悉，英諾賽科已在中國蘇州建立全球研發中心，將其定位為第三代半導體材料及芯片的領先研發中心。截至2023年12月31日，公司的研發工作已累計獲得213項專利，其中包括173項發明專利及40項實用新型專利，以及480項專利申請，涵蓋芯片設計、器件結構、晶圓製造、封裝及可靠性測試等關鍵領域。於2021 年至2023 年，公司的研發開支合計高達人民幣15.92億元。
英諾賽科蘇州研發樓
基於8英寸硅基氮化鎵技術平台，英諾賽科開發了一系列技術，包括氮化鎵材料技術、8英寸硅基氮化鎵產品設計技術，及8英寸硅基氮化鎵生產工藝技術。在8英寸硅基氮化鎵晶圓技術方面的進步，使公司遙遙領先於競爭對手。憑藉強大的8英寸硅基氮化鎵晶圓生產技術，公司突破了每月10,000片晶圓的生產瓶頸，實現了產業規模的商業化，截至2023年12月31日，晶圓良率超過95%。
出色的量產能力結合先進的製造工藝，已轉化為顯著的先發優勢，助力英諾賽科成為世界上首家在產業規模上商業化8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司。依託成熟的商業化能力，可充分彰顯公司創新能力，並有效地將創新成果推向市場，持續鞏固其在氮化鎵半導體行業的領導地位，實現價值蝶變與驚艷成長。
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